草坪灯激光模组的根本结构:垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可所以半导体晶体的解理面,也可所以经过抛光的平面。其他两旁边面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光效果。
半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结写入P区,空穴从P区经过PN结写入N区,这些写入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发作复合,然后发射出波长为λ的光子,其公式如下:
λ = hc/Eg ⑴式中:h—普朗克常数; c—光速; Eg—半导体的禁带宽度。
草坪灯激光模组最主要的特性即是独自向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
1·正向特性
在电子电路中,将草坪灯激光模组的正极接在高电位端,负极接在低电位端,草坪灯激光模组就会导通,这种联接办法,称为正向偏置。有必要阐明,当加在草坪灯激光模组两头的正向电压很小时,草坪灯激光模组仍然不能导通,流过草坪灯激光模组的正向电流非常微小。只有当正向电压到达某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)今后,草坪灯激光模组才华直正导通。导通后草坪灯激光模组两头的电压根本上坚持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
2·反向特性
在电子电路中,草坪灯激光模组的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时草坪灯激光模组中几乎没有电流流过,此时草坪灯激光模组处于截止情况,这种联接办法,称为反向偏置。草坪灯激光模组处于反向偏置时,仍然会有微小的反向电流流过草坪灯激光模组,称为漏电流。当草坪灯激光模组两头的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,草坪灯激光模组将失掉独自向导电特性,这种情况称为草坪灯激光模组的击穿。草坪灯激光模组的写入电流有必要大于临界电流密度,才华满足居量反转条件而发出激光。临界电流密度与接面温度有关,而且直接影响效益。高温操作时,临界电流前进,效益下降,甚至损坏组件。
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