草坪灯激光模组的根本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可所以半导体晶体的解理面，也可所以经过抛光的平面。其他两旁边面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光效果。

　　半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结写入P区，空穴从P区经过PN结写入N区，这些写入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发作复合，然后发射出波长为λ的光子，其公式如下：　　

λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常数； c—光速； Eg—半导体的禁带宽度。

      草坪灯激光模组最主要的特性即是独自向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

1·正向特性

     在电子电路中，将草坪灯激光模组的正极接在高电位端，负极接在低电位端，草坪灯激光模组就会导通，这种联接办法，称为正向偏置。有必要阐明，当加在草坪灯激光模组两头的正向电压很小时，草坪灯激光模组仍然不能导通，流过草坪灯激光模组的正向电流非常微小。只有当正向电压到达某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）今后，草坪灯激光模组才华直正导通。导通后草坪灯激光模组两头的电压根本上坚持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

2·反向特性

　   在电子电路中，草坪灯激光模组的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时草坪灯激光模组中几乎没有电流流过，此时草坪灯激光模组处于截止情况，这种联接办法，称为反向偏置。草坪灯激光模组处于反向偏置时，仍然会有微小的反向电流流过草坪灯激光模组，称为漏电流。当草坪灯激光模组两头的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，草坪灯激光模组将失掉独自向导电特性，这种情况称为草坪灯激光模组的击穿。草坪灯激光模组的写入电流有必要大于临界电流密度，才华满足居量反转条件而发出激光。临界电流密度与接面温度有关，而且直接影响效益。高温操作时，临界电流前进，效益下降，甚至损坏组件。